K. AnderssonSamsung har utvecklat vad de hävdar som branschens högst presterande UFS 4.0-minne som implementerar de senaste JEDEC-standarderna (Joint Electron Device Engineering Council). Den nya lagringslösningen har en minnesbandbredd på 23,2 Gbps/bana, dubbelt så mycket som nuvarande UFS 3.1 kan erbjuda.
Den nya minne använder Samsungs 7:e generationens V-NAND och en proprietär kontroller, vilket ger den en sekventiell läs- och skrivhastighet på upp till 4200MB/s och 2800MB/s. Den är också 46 % effektivare än UFS 3.1, och mäter datahastigheter på 6MB/s per milliampere. Det gör att batteritiden blir bättre trots de ökade lagringshastigheterna.
Medan storleksvarianter kommer att gå så högt som 1 TB, kommer chipet att vara relativt kompakt med 11 mm x 13 mm x 1 mm. Produktionen förväntas starta under tredje kvartalet 2022. Det nya minnet har även fått JEDEC:s styrelse godkännande.
Samsung hävdar att den nya lösningen är perfekt för 5G-telefoner med tanke på mängden data som dessa telefoner kommer att kunna ladda ner och lagra, tack vare de snabbare internethastigheterna. Företaget noterar också att det nya minnet borde fungera bra med AR. VR och fordonstillämpningar i framtiden.
Snabb sammanfattning
| UFS 4.0 har en minnesbandbredd på 23,2 Gbps, dubbelt så stor som UFS 3.1 |
| Chipet har sekventiella läs- och skrivhastigheter på 4200MB/s respektive 2800MB/s. |
| Den är också 46 % mer energieffektiv jämfört med UFS 3.1 och överför med en hastighet av 6 MB/s per mA. |
I nyheterna: Ny ransomware-stam tillskriven APT-38 (Lazarus) cyberkriminell grupp
Yadullah Abidi
